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論文

Electronic structure of carbon nitride thin films studied by X-ray spectroscopy techniques

Hellgren, N.*; Guo, J.*; Luo, Y.*; S${aa}$the, C.*; 安居院 あかね; Kashtanov, S.*; Nordgren, J.*; ${AA}$gren, H.*; Sundgren, J.-E.*

Thin Solid Films, 471(1-2), p.19 - 34, 2005/01

https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.03.027
 被引用回数：133 パーセンタイル：96.54(Materials Science, Multidisciplinary)

窒化炭素は近年ハードディスクや記録ヘッドなどの材料として着目されている。本研究ではマグネトスパッタ法によって作成した窒化炭素薄膜の電子構造を、軟X線光電子分光,X線吸収分光法,発光分光法によって測定した。これにより、薄膜作成時の温度などの条件で窒素-炭素の結合や、そのマイクロストラクチャーが変化することがわかった。

論文

Polarizability of silicon clusters

望月 祐志; ${AA}$gren, H.*

Chemical Physics Letters, 336(5-6), p.451 - 456, 2001/03

https://doi.org/10.1016/S0009-2614(01)00176-2
 被引用回数：14 パーセンタイル：41.25(Chemistry, Physical)

シリコン結晶から切り出し、水素終端化したクラスターモデルに対して、並列処理を援用する大規模な線形応答計算を行い、分極率並びに励起エネルギーを評価した。最大のSi$$_{35}$$H$$_{36}$$では静的分極率として3.87Å$$^{3}$$が得られ、結晶シリコンの実験値3.64-3.76Å$$^{3}$$によく対応する。

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